半導体は2nm世代になると、ナノシート、RibbonFET、GAAの構造が採用されるとしています。
2011年にインテルが商用化した立体的なFinFET(Tri-gate)は半導体のゲートを、従来の平面的な構造から立体的な構造にしたものです。これをより先進的な構造にするのがナノシート(nanosheet)、RibbonFET、GAAという形状になります。