インテルは2011年5月4日、2011年末頃を予定している22nmプロセス採用のコード名Ivy Bridgeにおいて、3次元構造のトランジスター、トライゲート(Tri-gate)を採用することを発表した。
従来のプレナー型トランジスターと比較した場合、低電圧・低リーク電流で動作し、より低消費電力ながらパフォーマンスの高いプロセッサーを製造できるようになる。
従来型トランジスターと比較した場合、低電圧で最大37%のパフォーマンス向上。同等のパフォーマンスなら消費電力は半分になる。
従来のインテルプロセッサーに使われた最新技術と将来予測をまとめた
2001年 Pentium M (Banias)において0.13um(130um)において、銅配線を採用
2002年 300mmウェハを採用したPentium 4(Northwood)の提供を開始
2003年 90nmプロセスの歪みSi (Strained Silicon)を採用した Pentium M (Dothan)
2006年 65nmプロセスのデュアルコアのCore (Yohan)
2008年 45nmプロセスのCore 2(Penryn)で、High-K/Megal gate、ダブル(マルチ)パターニングを採用
2010年 32nmプロセスのCore 2(Westmere)で、液浸リソグラフィを採用
2011年に採用する22nmプロセスのCore 2?(Ivy Bridge)からTri-Gate型トランジスターを採用予定
2017年頃の 8nmプロセスでEUVを採用か?
インテル コーポレーション、3 次元構造を採用した新型トランジスターを実用化へMay 4, 2011 Intel has been scheduled for adoption in late 2011 22nm process code-named Ivy Bridge in three-dimensional transistors, Tri-gate has announced that it is adopted.
Compared with the conventional planar transistor type, operating at low voltage and low leakage current, as yet capable of producing high-performance processors and low power.
When compared to conventional transistors, low voltage up to 37% performance increase. If power consumption is equal to half the performance.
And summarizes the latest technology was used to predict the future of the traditional Intel processors
In 2001 Pentium M (Banias) in 0.13um (130um) in the copper wiring used
In 2002 Pentium 4 (Northwood) and 300mm wafers to begin using
In 2003 90nm process Strained Silicon began using the Pentium M (Dothan)
2006 65nm dual-core processes in Core (Yohan)
In 2008 45nm process Core 2 (Penryn) in, High-K/Megal gate, double (multi) technology patterning
In 2010 32nm process Core 2 (Westmere), and adopted liquid immersion lithography
In 2011 22nm process Core 2? (Ivy Bridge) in, Tri-Gate transistor type is adopted
In 2017 8nm EUV process or adopt?
