半導体製造プロセスの回路の線幅とマーケティング用語

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半導体の製造プロセスにおけるx nmは回線の一般的には回路の線幅と言われています。実際に22nmが登場した2012年頃までは物理的なサイズのようでしたが、その後の14nmになると従来の基準でシュリンクさせた単なるマーケティング用語のようになっています。
この数字の先頭を走っていたインテルは10nm世代の導入に手間取り、その後の世代も他社に比べると遅れました。一方で、EUVを導入するなどTSMCは数字上のプロセスは2年おき程度に順調に推移していったため、インテルとの差が年々開いていきました。

そんな中で、物理的なサイズとはかけ離れた何かのサイズを表示しているわけではない数値の利用を、インテルが止める事を2021年7月25日に発表しました。
今後はオングストローム(angstrom)を使ったIntel 20Aのプロセスを2024年に投入する予定で、その以降まではIntel 7、Intel 4、Intel 3というプロセスを使うようです。従来の表記法ではTSMCよりかなり遅れているように見えましたが、名称変更から2年ほどの2023年で追いついているように見えることになります。

製造プロセスの導入年と表記一覧

2017年
TSMC 10nm
Samsung 10nm

2018年
Intel 10nm (Cannon Lake)
TSMC 7nm
Samsung 7nm

2019年
Intel 10nm (Ice Lake)

2020年
Intel SuperFin 10nm (Tigar Lake)
TSMC 5nm

2021年
Intel 7 (Enhanced SuperFin 10nm)

2022年
Intel 4 (7nm)
TSMC 3nm

2023年
Intel 3

2024年
Intel 20A

2025年
Intel 18A